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发布时间:2020-09-10 22:07:57
基于氧化锌(ZnO)的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌(ZnO)材料的新的研究热潮.氧化锌(ZnO)以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对氧化锌(ZnO)单晶的研究有重要的理论和实践意义.目前生长氧化锌(ZnO)的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的氧化锌(ZnO)单晶的尺寸和质量都有待于提高.氧化锌(ZnO)晶体在1975℃同成分熔化,在较高的温度下非常不稳定,不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。
氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料,具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料.同时由于具有可见区透明,机电耦合系数大,能使气体分子在其表面的吸附-解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
氧化锌(ZnO)单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体,其可直接跃 迁,禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。因此,可期待将其用作的发光器件材料。氧化锌(ZnO)晶体有三种结构∶六边纤锌矿结构、立方闪鋅矿结构,以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。纤锌矿结构在三者中稳定性高,因而常见。立方闪锌矿结构可由逐渐在表面生成氧化锌的方式获得。
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