ZnO晶体基片价格-值得信赖 合肥合瑞达

基于氧化锌（ZnO）的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌（ZnO）材料的新的研究热潮.氧化锌（ZnO）以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对氧化锌（ZnO）单晶的研究有重要的理论和实践意义.目前生长氧化锌（ZnO）的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的氧化锌（ZnO）单晶的尺寸和质量都有待于提高.氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化,在较高的温度下非常不稳定,不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。

氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV,且束缚激子能高达60MeV,使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料,具有纤锌矿结构,在室温下具有较强的激光发射性能,在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景。

采用化学气相法在加热温度为300~500℃下进行试验,加热温度对氧化锌（ZnO）晶体的外观形貌有很重要的影响。氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物,熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前,氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。采用水热法，可以从KOH和LiOH混合水溶液中生长ZnO晶体。晶体呈浅绿色或浅***，完整性较好，但尺寸还不够大，难以满足工业应用的需求。