太原ZnO晶体价格-物美价廉「在线咨询」

氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，禁带宽度为3.37eV；另外，其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)等材料高很多，如此高的激子束缚能使它在室温下稳定，不易被激发(室温下热离化能为26meV)，降低了室温下的激1射阈值，提高了ZnO材料的激发效率。基于这些特点，ZnO材料既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。

生长氧化锌（ZnO）的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的氧化锌（ZnO）单晶的尺寸和质量都有待于提高.由于水热法生长氧化锌（ZnO）晶体时,需使用高浓度的碱溶液作矿化剂,因此有必要使用贵1金属衬套管以保护高压釜反应腔内壁,以免遭受碱液的腐蚀。目前,生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的***有效的方法。

氧化锌还是良好的光催化材料,可用于环境中的生物降解,光触媒杀菌等。为了更好地研究氧化锌的导体性能,有必要合成高质量的氧化锌单晶。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系,纤锌矿结构,点群为6mm,空间群为z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶体中,Z离子和O离子沿c轴交替堆积,(O001)面终结于正电荷Z离子,(0001)面终结于负电荷O离子,因此,氧化锌（ZnO）单晶具有极性。