合肥合瑞达高品质(图)-氧化锌晶体衬底基片-兰州氧化锌晶体

由于水热法生长氧化锌（ZnO）晶体时，需使用高浓度的碱溶液作矿化剂，因此有必要使用贵1金属衬套管以保护高压釜反应腔内壁，以免遭受碱液的腐蚀。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系，氧化锌晶体单晶供应商，纤锌矿结构，点群为6mm，空间z=2，a=0.32488mm，c=0.51969mm，P6mc，氧化锌晶体衬底基片，ZnO晶体中，Z离子和O离子沿c轴交替堆积，氧化锌晶体单晶基片，(O001)面终结于正电荷Z离子，(0001)面终结于负电荷O离子，兰州氧化锌晶体，因此，氧化锌（ZnO）单晶具有极性。

氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，具有纤锌矿结构，在室温下具有较强的激光发射性能，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景。

氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：透过范围：0.4-0.6 um gt; 50% at 2mm；晶向：lt;0001gt;、lt;11-20gt;、lt;10-10gt;±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底；表面粗糙度：Surface roughness(Ra):lt;=5A可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光：单面或双面；包装：100 级洁净袋，1000 级超净室。