氧化锌ZnO晶体-ZnO晶体-合肥合瑞达质优价廉(查看)

氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，ZnO晶体基片公司，熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前，氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作***的发光器件材料。

氧化锌（ZnO）晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，ZnO晶体价格，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，ZnO晶体，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。

基于氧化锌（ZnO）的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌（ZnO）材料的新的研究热潮.氧化锌（ZnO）以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料，氧化锌ZnO晶体，因此对氧化锌（ZnO）单晶的研究有重要的理论和实践意义.目前生长氧化锌（ZnO）的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等，但所生长的氧化锌（ZnO）单晶的尺寸和质量都有待于提高.氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。