合肥合瑞达材质上乘(图)-氧化镁晶体衬底基片-安徽氧化镁晶体

在高温超导领域，氧化镁(MgO)晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的价格优势，且性能良好。主要性能参数 生长方法：弧熔法；晶体结构：立方；晶格常数：a=4.130 A；熔点（℃）：2800；纯度：99.95%；密度（g/cm3）：3.58；硬度：5.5（mohs）；热膨胀系数（/℃）：11.2x10-6；晶体解理面：lt;100gt;；光学透过：gt;90%（200~400nm），gt;98%（500~1000nm）；介电常数：ε= 9.65；热导率（卡／度 厘米 秒）：0.14 300°K。

氧化镁(MgO)单晶在许多高技术领域的研究和生产中有着独特的优势，其中，氧化镁晶体供应商，大尺寸氧化镁单晶体以及以此为基础做成的高温超导基片及双面膜为参与国际高科技竟争的关键产品。氧化镁（MgO）是离子化合物，安徽氧化镁晶体，同样也是离子晶体，虽然一般来说，氧化镁晶体衬底基片，原子晶体的熔点的确比离子晶体高，但是这并不绝1对，键能较低的原子晶体熔点明显比键能高的离子晶体低。因为氧化镁是由氧离子和镁离子通过离子键结合成的.。

氧化镁单晶在许多高技术领域的研究和生产中有着独特的优势，其中，大尺寸氧化镁单晶体以及以此为基础做成的高温超导基片及双面膜为参与国际高科技竟争的关键产品。氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，氧化镁晶体单晶，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。氧化镁单晶基片是高频微波器件高温超导薄膜***常选用的主要衬底材料之一， 也是当前可实现产业化的重要的高温超导薄膜基片。