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发布时间:2020-05-12 08:01:18
氧化锌(ZnO)是一致熔融化合物,氧化锌晶体单晶衬底基片,熔点为1975℃。由于高温下氧化锌(ZnO)的挥发性很强,传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌(ZnO)晶体体单晶。作为氧化锌单晶的培养方法,已知有利用水热合成法的培养方法。水热合成法是 在高温高压的原料水溶液中培养晶体的方法,是利用由温差引起的过饱和度使晶体在晶种 上析出的方法。
众所周知氧化锌(ZnO)作为宽禁带半导体材料,具有纤锌矿结构,在室温下具有较强的激光发射性能,在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景,氧化锌晶体批发,特殊形貌的氧化锌在上述诸多方面的优异性能正在被开发,为此,氧化锌晶体单晶厂家,各种形貌氧化锌晶体的可控制备研究引起了人们的广泛兴趣。氧化锌(ZnO)晶体在1975℃同成分熔化,在较高的温度下非常不稳定,不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。
氧化锌(ZnO)单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件,也是高1性能的移动通讯基片材料和优1秀的闪烁材料;此外,江西氧化锌晶体,氧化锌(ZnO)与GaN的晶格失配度特别小,是GaN外延生长***理想的衬底材料。氧化锌(ZnO)具有高熔点、高挥发性和强极性等特征,使得晶体生长十分困难。目前ZnO晶体生长技术主要有助熔剂法、水热法、气相法等几种。
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